| 1 | Malzeme Büyütme/Kaplama | AIXTRON 200/4 RF-S MOCVD ile büyütme | Özel fiyat verilir | MOCVD sistemi ile 2” ya da 3” alttaşlar üzerine N ve As/P tabanlı yarıiletkenlerin, nm ölçeğinde katman kalınlığı ve bileşimi üzerinde hassas kontrol ile karmaşık çok katmanlı yapılar büyütme epitaksiyel büyütmesinin gerçekleştirilebilmektedir. |
| 2 | Malzeme Büyütme/Kaplama | NVTS-500-2TH1DC1RF Sputter /Termal Buharlaştırma ile büyütme | 1500 TL/Saat (Sarf malzeme fiyata dahil değildir.) | Sputter/Termal ince film kaplama cihazı kullanılark RF/DC saçtırma ve termal buharlaştırma yöntemleriyle 4 inçe kadar alttaş üzerine film kalınlığı, bileşimi ve düzgünlüğü üzerinde hassas kontrol sağlayarak ince film büyütmeleri gerçekleştirlebilmektedir. |
| 3 | HEMS | Oda Sıcaklığı Hall Ölçümü (RT-HEMS) | 1950 TL/saat (Örnek hazırlama fiyata dahil değildir.) | Malzemenin üzerinden geçen akım ve malzemeye uygulanan manyetik alanın etkileşimi sonucu oluşan Hall mobilite ölçümü, Hall voltajı ölçümü, I-V eğrisi ölçümleri, direnç ölçümleri, taşıyıcı konsantrasyon ölçümü, dört veya altı kontaklı sample tutucu ile gerçekleştirilmektedir. |
| 4 | HEMS | Düşük Sıcaklık Hall Ölçümü (LT-HEMS) | 2300 TL/adet (Soğutmada kullanılacak sıvı azot ve örnek hazırlama fiyata dahil değildir.) | 80-300K sıcaklıkları arasında Hall mobilite ölçümü, Hall voltajı ölçümü, direnç ölçümleri, taşıyıcı konsantrasyon ölçümü gerçekleştirilebilmektedir. |
| 5 | IV-CV | Keitley 4200-SCS Yarıiletken Karakterizasyon Sistemi ile IV/CV Ölçümü | 1105 TL/Saat (Örnek hazırlama fiyata dahil değildir.) | Numune üzerine belirli bir voltaj aralığında gerilim veya akım uygulayarak oluşan akım-voltaj karakteristiklerinin ölçümü yapılarak elektriksel özellikleri belirlenebilmektedir. |
| 6 | IV-CV | Keitley 4200-SCS Yarıiletken Karakterizasyon Sistemi ile Sıcaklığa bağlı IV/CV | 1625 TL/Saat (Örnek hazırlama fiyata dahil değildir.) | 25-700°C sıcaklıkları arasında IV-CV ölçümü yapılarak elektriksel özellikleri belirlenebilmektedir. |
| 7 | IV-CV | Ossila Solar Simulator ile I-V ölçümü | 1300 TL/Saat (Örnek hazırlama fiyata dahil değildir.) | Güneş simülatörü ile AM 1.5G spektrumunu 350-1050 nm dalga boyu aralığında simüle edebilen, AAA sınıfı güneş simülatörü ile I-V ölçme işlemini gerçekleştirebilmektedir. |
| 8 | YÜKSEK ÇÖZÜNÜRLÜKLÜ X-IŞINI KIRINIMI | Rigaku SmartLab Yüksek Çözünürlüklü X-Işını Kırınımı sistemi ile İnce film ölçümü | 1500 TL/saat | XRD ile ince film numunelerinin X-Işını kırınım desenleri elde edilebilmektedir. Film tabakalarının kristal yapısı, kalınlığı, yüzey pürüzlülüğü ve gerginlik gibi özelliklerini belirlemek için kullanılan hassas bir tekniktir. XRD, ince filmlerin kristal fazlarını ve yapısal özelliklerini belirlerken aynı zamanda tabakalar arası yapıları da incelemeye olanak tanımaktadır. |
| 9 | YÜKSEK ÇÖZÜNÜRLÜKLÜ X-IŞINI KIRINIMI | Rigaku SmartLab Yüksek Çözünürlüklü X-Işını Kırınımı sistemi ile Toz Numune Ölçümü | 1125 TL/saat | XRD kullanılarak toz malzemelerin kırınım desenleri elde edilebilmektedir. Numunedeki kristal yapıların faz analizi, kristal boyutları, kristalografik yönelim ve gerginlik gibi özellikleri belirlenebilmektedir. |
| 10 | YÜKSEK ÇÖZÜNÜRLÜKLÜ X-IŞINI KIRINIMI | Simülasyon/Analiz | Yapıya göre fiyatlandırılmalı | GlobalFit programı kullanılarak yapıların analizi yapılmaktadır. |
| 11 | YÜKSEK ÇÖZÜNÜRLÜKLÜ X-IŞINI KIRINIMI | Rigaku SmartLab Yüksek Çözünürlüklü X-Işını Kırınımı sistemi ile X-ışını Reflectometrisi (XRR) | 3250 TL/numune | Tek ve çok katmanlı yığınların kalınlığını, yoğunluğunu ve pürüzlülüğünü belirlemek için kullanılan XRR analizi, hem kristal hem de amorf malzemeler üzerinde gerçekleştirilebilmektedir. |
| 12 | FOTOLUMİNESANS-RAMAN SPEKTROMETRE SİSTEMİ | Unidron RT-PL | 1625 TL/numune (325 nm laser için özel fiyat verilir) | Fotolüminesans ölçümünde, numuneye bir ışık kaynağı ile enerji verilir ve numune ile ışık etkileşimi sonrası yayılan ışık analiz edilerek malzemenin bant aralığı, kusur yapıları, safsızlıklar ve malzemenin opto-elektronik özellikleri hakkında bilgi edinilebilmektedir. |
| 13 | FOTOLUMİNESANS-RAMAN SPEKTROMETRE SİSTEMİ | LT-PL | 2600 TL/saat (325 nm laser için özel fiyat verilir) | Kriyojenik sıcaklıklara (6.5 -325 K) kadar soğutulabilen malzemeden saçılan ışığın yoğunluk spektrumu elde edilir ve bant aralığı enerjisinin sıcaklığa bağlı ölçümü ile malzemenin kusur bilgisi elde edilir. |
| 14 | FOTOLUMİNESANS-RAMAN SPEKTROMETRE SİSTEMİ | Fotolüminesans Sistemi ile Sıvı Numune Ölçümü | 1625 TL/saat (325 nm laser için özel fiyat verilir) | Sıvı numuneden yayılan ışığın spektrumu analiz edilir. Bant aralığı (Eg), kusur/safsızlık bantları ve radyatif yeniden birleşme özellikleri belirlenir. |
| 15 | FOTOLUMİNESANS-RAMAN SPEKTROMETRE SİSTEMİ | Fotolüminesans Sistemi ile Toz Numune Ölçümü | 1625 TL/saat (325 nm laser için özel fiyat verilir) | Toz numune ince tabaka halinde hazırlanır ve uyarım sonrası yayılan PL spektrumu kaydedilir. Eg, kusur emisyonları ve yüzey durumları hakkında bilgi verir; tepe konumu, şiddet ve FWHM analiz edilir. |
| 16 | FOTOLUMİNESANS-RAMAN SPEKTROMETRE SİSTEMİ | Raman Haritalandırma | Özel fiyat verilir | Raman haritalandırma, bir numunenin yüzeyindeki farklı noktaların Raman spektrumlarının alınmasıyla gerçekleştirilir. Bu sayede numunenin kimyasal ve yapısal özellikleri, faz dağılımı, bileşenlerin homojenliği ve olası yapısal değişiklikler gibi özellikler detaylı bir şekilde haritalandırılır. |
| 17 | FOTOLUMİNESANS-RAMAN SPEKTROMETRE SİSTEMİ | Raman Spektrum Ölçümü | 975 TL/saat | Raman ölçümleri, numuneye lazer ışığı gönderildiğinde saçılan ışığın enerjisindeki değişimlerin analiz edilmesiyle yapılır. Numunenin kimyasal bağlarının türleri, bağ yapıları, bağ uzunlukları ve açıları, moleküllerin nasıl titreştiği ve döndüğü, numunenin faz durumu ve kimyasal yapısı, numunelerdeki gerilme ve deformasyonlar, sıcaklık ve basınç gibi çevresel faktörlerin numune üzerindeki etkileri hakkında bilgi sahibi olunmasını sağlar. |
| 18 | FOTOLUMİNESANS-RAMAN SPEKTROMETRE SİSTEMİ | LT-Raman | 2600 TL/saat | Düşük sıcaklıkta Raman ölçümü, malzemenin 6,5–325 K aralığında soğutulmasıyla elde edilen saçılan ışığın yoğunluk spektrumunu inceler. Sıcaklığa bağlı tepe konumu (kayma), şiddet ve yarı-yükseklikte tam genişlik (FWHM) değişimleri üzerinden fonon enerjileri ve ömürleri, kristal kusurları/dislokasyonlar, gerinim (strain) ve olası faz geçişleri nicel olarak değerlendirilir |
| 19 | FOTOLUMİNESANS-RAMAN SPEKTROMETRE SİSTEMİ | Raman Sistemi ile Sıvı Numune Ölçümü | 975 TL/saat | Sıvı numune kuvars küvet içine alınır ve lazerle uyarılır; saçılan ışığın spektrumu incelenerek moleküllerin titreşimleri ve kimyasal bağ özellikleri belirlenir. |
| 20 | FOTOLUMİNESANS-RAMAN SPEKTROMETRE SİSTEMİ | Raman Sistemi ile Toz Numune Ölçümü | 975 TL/saat | Raman ölçümü, toz numuneye lazer ışığı gönderilip saçılan ışığın enerjisindeki küçük değişimlerin analiz edilmesiyle yapılır. Bu sayede numunedeki kimyasal bağ türleri ve faz/kristal yapısı görülür; gerinim, kusur ve deformasyonlar hakkında bilgi elde edilir. |
| 21 | PROFİLOMETRE | Nanomap LS 500 Kontak Profilometre | 520 TL/numune | Kontak Profilometresi, malzemelerin yüzey topografisini mikroskobik ölçekte analiz etmek için kullanılan hassas bir cihazdır. Farklı boyut ve türdeki malzemelerin yüzey pürüzlülüğü, step yüksekliği, eğriliği ve şekli gibi geleneksel yüzey özelliklerinin tespiti için kullanılır. |
| 22 | PROFİLOMETRE | ZeeScope Optik Profilometre | 520 TL/numune | Optik Profilometre ile tek bir noktadan, bir çizgiden veya bir alandan alınan 2 ve 3 boyutlu ölçümler yapılabilmektedir. Profilometre yüzey morfolojisi, basamak yükseklikleri ve yüzey pürüzlülüğü gibi yüzeyin topografik özellikleri elde edilebilmektedir. |
| 23 | Atomik Kuvvet Mikroskobu | Yüksek Performans Atomik Kuvvet Mikroskobu Kontak Mod/Dinamik Mod | 1560 TL/saat (yeni tip kullanılması talep edilmesi halinde 2000 TL tip bedeli ayrıca ücretlendirilecektir.) | Yüksek Performans Atomik Kuvvet Mikroskobu, uç ile yüzey arasındaki etkileşimin doğasına bağlı olarak temaslı ve dinamik modda çalışabilir. AFM den elde edilen veriler, yüzey pürüzlülüğünün, dokusunun ve diğer yüzey özelliklerinin ölçülmesine olanak tanıyan yüzeyin topoğrafik haritalarını oluşturabilir. |
| 24 | UV-VIS-NIR Spektrometre | Varian Cary 5000 UV-VIS-NIR Spektrofotometre ile Yansıma, Geçirgenlik ve Soğurma | 455 TL/Adet | UV-VIS-NIR spektrofotometre sistemi katı ve sıvı numunelerin yansıma, geçirgenlik ve soğurma spektrumlarının ölçülebildiği bir optik karakterizasyon sistemidir. Bu sistem ile elde edilen spektrumlardan malzemenin kalınlığı, bant aralığı, soğurma katsayısı, kırılma indisi vb. gibi parametreler hesaplanabilmektedir. |
| 25 | Spektroskopik Elipsometre | OPT-S9000 Spektroskopik Elipsometre ile RT-Ölçümü | 1170 TL/saat | Elipsometre ışığın malzemeden yansıması sırasında kutuplanmasında (polarization) oluşan değişikliği ölçerek filmlerin kalınlık, kırılma indisi, sönüm katsayısı vb. hakkında bilgi sağlayabilmektedir. |
| 26 | Spektroskopik Elipsometre | OPT-S9000 Spektroskopik Elipsometre ile sıcaklığa bağlı ölçüm | 1560 TL/saat | Sıcaklığa bağlı ölçüm aparatı kullanılarak ≤400 °C’ye kadar sıcaklığa bağlı optik parametrelerin değişimini inceleme olanağı sağlamaktadır. |
| 27 | Mikroskop | Nikon Eclipse LV150N Optik Mikroskop | 260 TL/saat | Yüksek hassasiyetli analiz için tasarlanmış ve gelişmiş görüntüleme gereksinimleri için optimize edilmiş optik mikroskop kaliteli görünüler elde edilmesini sağlar. |
| 28 | Mikroskop | Zeiss Axiolab 5 Nomarski Mikroskop | 260 TL/saat | Nomarski DIC tekniği sayesinde, hücrelerin, mikroorganizma yapıların ve ince malzeme tabakalarının detaylı ve kontrastlı görüntüleri elde edilebilir. Bu mikroskop, özellikle transparan ve zayıf kontrastlı numunelerde yapısal detayların net bir şekilde görülmesini sağlar. |
| 29 | Kütle Spektrometresi | VS Serisi Helyum Kütle Spektrometresi Kaçak Dedektörü | 32500 TL/günlük (Uzman eşliğinde kaçak test ölçümü yapılacaktır) . Yerinde ölçümler için nakliye ücreti, talepte bulunana aittir. Gaz He ücreti hariçtir. | Helyum Kütle Spektrometresi Kaçak Dedektörü, izleyici gaz olarak helyum kullanan çeşitli sistemlerdeki kaçakları tespit etmek ve ölçmek için kullanılan gelişmiş bir cihazdır. Kaçak dedektörü, test edilen ortamdaki helyumu ayırır ve çekilen helyum miktarını içindeki kütle spektrometresi ile ölçerek yüksek hassasiyetle kaçak tespitine olanak sağlar. |
| 30 | Hızlı Termal Tavlama | Unitemp-100 Hızlı Termal Tavlama | 600 TL /adet | Hızlı Isıl İşlem Sistemi, metallerin mekanik özelliklerini iyileştirme, yarıiletkenlerin kristalleşmesi ve kusurların giderilmesi gibi çeşitli amaçlarla malzemelerin vakum ortamında veya istenilen gaz altında yüksek sıcaklıklarda hızlı bir şekilde ısıtılmasını sağlar. Çeşitli yarı iletken işlemleri, tavlama, kalite kontrol, hızlı ısıl işlemler, implantasyon sonrası tavlama için kullanılabilmektedir. |
| 31 | Tel Bağlayıcı | Kulicke ve Soffa Model 4124 altın tel bağlayıcı | 1040 TL/saat | Altın tel bağlayıcı ile entegre bir devre yongasından veya bağlantıya ihtiyaç duyan başka herhangi bir cihaz için iletken uçlar, tel bağlayıcı ile gerçekleştirilebilmektedir. |
| 32 | Elektrokimyasal Kapasitans-Gerilim Ölçümü (ECV) | Elektrokimyasal Kapasitans-Gerilim Ölçümü (ECV) Sistemi ile Silisyum Ölçümü | 3250 TL/saat | Elektrokimyasal Kapasitans-Gerilim ölçümü, yarı iletkenlerin doping profillerini belirlemek için kullanılan bir tekniktir. Bu yöntem, malzemenin yüzeyinden başlayarak derinliğe bağlı olarak katkı maddelerinin konsantrasyon dağılımını tespit eder. Uygulanan voltaj ile kapasitans değişikliklerini izleyerek, numunenin iç yapısı hakkında detaylı bilgi sunar. |
| 33 | Elektrokimyasal Kapasitans-Gerilim Ölçümü (ECV) | Elektrokimyasal Kapasitans-Gerilim Ölçümü (ECV) ile As/P Tabanlı Malzeme Ölçümü | 3250 TL/saat | Elektrokimyasal Kapasitans-Gerilim ölçümü, yarı iletkenlerin doping profillerini belirlemek için kullanılan bir tekniktir. Bu yöntem, malzemenin yüzeyinden başlayarak derinliğe bağlı olarak katkı maddelerinin konsantrasyon dağılımını tespit eder. Uygulanan voltaj ile kapasitans değişikliklerini izleyerek, numunenin iç yapısı hakkında detaylı bilgi sunar. |
| 34 | Potansiyostat/Galvanostat | Çevrimli Voltametri (CV), Galvanostatik Şarj- Deşarj – (GCD), Elektrokimyasal Empedans Spektroskopisi (EIS) | • Numune başına: 500 TL
• Saatlik kullanım: 750 TL/saat
• 0–6 saat arası ölçümler: 750 TL/saat
• 6 saati aşan ölçümler: 500 TL/saat
• 12 saati aşan ölçümlerde her ek 12 saatlik süre, 1 günlük ücret olarak değerlendirilir. | Çevrimli Voltametri (CV), Galvanostatik Şarj-Deşarj (GCD) ve Elektrokimyasal Empedans Spektroskopisi (EIS), bir malzemenin elektro-kimyasal davranışını kapsamlı şekilde karakterize eden tamamlayıcı tekniklerdir. CV, potansiyelin ileri-geri taranmasıyla oksidasyon–indirgenme süreçlerini ve malzemenin redoks özelliklerini ortaya koyar. GCD, sabit akım altında potansiyel değişimini izleyerek kapasite, iç direnç ve döngü kararlılığı gibi enerji depolama performansını belirler. EIS ise geniş frekans aralığında uygulanan AC sinyale verilen yanıtı ölçerek şarj transfer direnci, iyon difüzyonu ve ara yüzey özellikleri gibi sistemin iç yapısına dair detaylı bilgiler sağlar. Bu üç yöntem birlikte kullanıldığında yarı iletkenler, ince filmler, bataryalar ve süperkapasitörler gibi malzemelerin elektrokimyasal özelliklerini yüksek doğrulukla değerlendirmeye imkan tanır. |
| 35 | Dört Nokta Prob Ölçümü | Yüzey Direnci Ölçme | 100 TL/Numune | Yüzey direnci ölçme yöntemi, ince filmler ve yarı iletken yüzeyler üzerindeki elektriksel iletkenliği belirlemek için kullanılan temel bir tekniktir. Bu yöntem, genellikle dört uçlu prob (four-point probe) konfigürasyonu kullanarak kontakt direncinin ölçümleri etkilemesini önler. Numunenin üzerine uygulanan akım ve ölçülen gerilim doğrultusunda yüzeyin birim kare başına düşen direnci hesaplanır. Böylece malzemenin iletkenlik özellikleri hakkında hassas ve güvenilir bilgiler elde edilir. Bu teknik özellikle yarı iletken proses kontrolü, ince film karakterizasyonu ve kalite takibi için büyük önem taşır. |
| 36 | Dört Nokta Prob Ölçümü | Yüzey Haritalaması | 350 TL/Numune | Yüzey haritalaması, bir numunenin farklı noktalarından alınan yüzey direnci ölçümlerinin belirli bir düzen içinde toplanması ve bu verilerin yüzey boyunca iletkenlik dağılımını değerlendirmek için kullanılmasıdır. Bu yöntem, malzemedeki homojenlik, yerel iletkenlik değişimleri, üretim kaynaklı kusurlar ve ince film kalınlığı farklılıklarını ortaya çıkarmaya yardımcı olur. Elde edilen sonuçlar, yarı iletken wafer’ları, ince filmler ve malzeme proses geliştirme çalışmaları için önemli bilgiler sunar. |
