8 Nisan 2025

Elektrokimyasal Kapasitans Voltaj (ECV) yöntemi, yarıiletkenlerde aktif dopant (katkı) dağılımını yüksek hassasiyetle belirlemek için kullanılan bir karakterizasyon tekniğidir. Kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri ile serbest taşıyıcı yoğunluklarının derinliğe bağlı değişimi analiz edilir. ECV sistemi, örnek yüzeyinin kontrollü olarak aşındırılması ve her aşındırma adımında CV ölçümü alınması prensibiyle çalışır. Bu sayede katkı profilleri nanometre mertebesinde detaylandırılabilir.

• Sistem Si, SiC, Ge, III-V grubu ve II-VI grubu yarıiletkenlerin katkı profillerini derinliğe bağlı olarak ölçebilmektedir.
• Sistem 2×5 mm² ‘den 6 inç çapa kadar örneklerin ölçümünü yapabilmektedir.
• n ve p tipi taşıyıcıların katkı profilleri, 10¹² ile 10²¹ cm^-3 taşıyıcı konsantrasyonu aralığında ve derinlik çözünürlüğü  ≤1 nm mertebesinde izlenebilmektedir.
• Üst üste büyütülmüş birden fazla katman ölçülebilmektedir.