22 Eylül 2025

CÜNAM araştırmacılarının Eskişehir Osmangazi Üniversitesi ve Atatürk Üniversitesi akademisyenleri ile birlikte yürüttüğü “MOVPE growth of Si-doped AlN and Schottky diode fabrication” başlıklı makale, Materials Science and Engineering: B dergisinde yayımlanmasının ardından, yarıiletken teknolojileri alanında dünyanın önde gelen haber portallarından biri olan Compound Semiconductor’da haber olarak yer aldı.

Compound Semiconductor, geniş bant aralıklı yarıiletkenlerden güç elektroniğine, fotonikten ileri iletişim teknolojilerine kadar en güncel bilimsel ve endüstriyel gelişmeleri aktaran, uluslararası saygınlığa sahip bir haber ve analiz platformudur. Çalışmamızın burada yer bulması, yalnızca akademik katkılarımızın değil, aynı zamanda sonuçlarımızın endüstri ve araştırma topluluklarında da büyük bir ilgiyle takip edildiğini göstermektedir.

Merkez Müdürümüz Prof. Dr. İlkay Demir ve araştırmacımız İzel Perkitel’in de katkılarıyla yürütülen bu çalışma, AlN ince filmlerin yapısal, elektriksel, yüzey ve optik özelliklerinin katkılama koşullarına bağlı olarak nasıl değiştiğini ortaya koymanın yanı sıra, bu malzemenin yüksek sıcaklıklarda çalışabilen optoelektronik aygıtlar için sunduğu potansiyeli de göstermektedir. Kapsamlı karakterizasyon çalışmaları, film kalitesi, yüzey morfolojisi ve cihaz performansı arasındaki bağlantıları daha net ortaya çıkarmış ve sonuçlar, AlN tabanlı aygıtların gelecek nesil güç elektroniği uygulamalarında güçlü bir aday olduğunu bir kez daha kanıtlamıştır.

🔗 Haberin tamamı için: https://compoundsemiconductor.net/article/122508/Si-doped_AlN_films_for_Schottky_applications
Si-doped AlN films for Schottky applications – Compound Semiconductor News
Our selection of industry specific magazines cover a large range of topics.
Si-doped AlN films for Schottky applications – Compound Semiconductor News