| 1 |
Metalorganik Kimyasal Buhar Biriktirme Sistemi (MOCVD)
|
Eğitime Göre Düzenlenecek
|
Eğitime Göre Düzenlenecek
|
MOCVD sistemi ile 2” ya da 3” alttaşlar üzerine N ve As/P tabanlı yarıiletkenlerin, nm ölçeğinde katman kalınlığı ve bileşimi üzerinde hassas kontrol ile karmaşık çok katmanlı yapılar büyütme epitaksiyel büyütmesinin gerçekleştirilebilmektedir.
|
| 2 |
Sputter/Termal İnce Film Kaplama Sistemi
|
Eğitime Göre Düzenlenecek
|
Eğitime Göre Düzenlenecek
|
Sputter/Termal ince film kaplama cihazı kullanılark RF/DC saçtırma ve termal buharlaştırma yöntemleriyle 4 inçe kadar alttaş üzerine film kalınlığı, bileşimi ve düzgünlüğü üzerinde hassas kontrol sağlayarak ince film büyütmeleri gerçekleştirlebilmektedir.
|
| 3 |
Optik Mikroskop (Nikon)
|
Uygulamalı Eğitim İçerinde Önemli Noktalara Değinilecektir
|
3 Uygulama (1 eğitmen+2 kendisi)
|
Yüksek hassasiyetli analiz için tasarlanmış ve gelişmiş görüntüleme gereksinimleri için optimize edilmiş optik mikroskop kaliteli görünüler elde edilmesini sağlar.
|
| 4 |
Optik Mikroskop (Zeiss)
|
Uygulamalı Eğitim İçerinde Önemli Noktalara Değinilecektir
|
3 Uygulama (1 eğitmen+2 kendisi)
|
Nomarski DIC tekniği sayesinde, hücrelerin, mikroorganizma yapıların ve ince malzeme tabakalarının detaylı ve kontrastlı görüntüleri elde edilebilir. Bu mikroskop, özellikle transparan ve zayıf kontrastlı numunelerde yapısal detayların net bir şekilde görülmesini sağlar.
|
| 5 |
X-Işını Kırınımı (XRD)
|
Eğitime Göre Düzenlenecek
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
XRD ile ince film numunelerinin X-Işını kırınım desenleri elde edilebilmektedir. Film tabakalarının kristal yapısı, kalınlığı, yüzey pürüzlülüğü ve gerginlik gibi özelliklerini belirlemek için kullanılan hassas bir tekniktir. XRD, ince filmlerin kristal fazlarını ve yapısal özelliklerini belirlerken aynı zamanda tabakalar arası yapıları da incelemeye olanak tanımaktadır.
|
| 6 |
X-Işını Kırınımı (XRD)
|
Eğitime Göre Düzenlenecek
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
XRD kullanılarak toz malzemelerin kırınım desenleri elde edilebilmektedir. Numunedeki kristal yapıların faz analizi, kristal boyutları, kristalografik yönelim ve gerginlik gibi özellikleri belirlenebilmektedir.
|
| 7 |
X-Işını Kırınımı (XRD)
|
Eğitime Göre Düzenlenecek
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
Tek ve çok katmanlı yığınların kalınlığını, yoğunluğunu ve pürüzlülüğünü belirlemek için kullanılan XRR analizi, hem kristal hem de amorf malzemeler üzerinde gerçekleştirilebilmektedir.
|
| 8 |
IV-CV
|
2 Gün
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
Numune üzerine belirli bir voltaj aralığında gerilim veya akım uygulayarak oluşan akım-voltaj karakteristiklerinin ölçümü yapılarak elektriksel özellikleri belirlenebilmektedir.
|
| 9 |
IV-CV
|
2 Gün
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
25-700°C sıcaklıkları arasında IV-CV ölçümü yapılarak elektriksel özellikleri belirlenebilmektedir.
|
| 10 |
Solar Simülatör
|
2 Gün
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
Güneş simülatörü ile AM 1.5G spektrumunu 350-1050 nm dalga boyu aralığında simüle edebilen, AAA sınıfı güneş simülatörü ile I-V ölçme işlemini gerçekleştirebilmekte
|
| 11 |
Hall Ölçüm Sistemi
|
1 Gün
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
Malzemenin üzerinden geçen akım ve malzemeye uygulanan manyetik alanın etkileşimi sonucu oluşan Hall mobilite ölçümü, Hall voltajı ölçümü, I-V eğrisi ölçümleri, direnç ölçümleri, taşıyıcı konsantrasyon ölçümü, dört veya altı kontaklı sample tutucu ile gerçekleştirilmektedir.
|
| 12 |
Hall Ölçüm Sistemi
|
3 Gün
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
80-300K sıcaklıkları arasında Hall mobilite ölçümü, Hall voltajı ölçümü, direnç ölçümleri, taşıyıcı konsantrasyon ölçümü gerçekleştirilebilmektedir.
|
| 13 |
Elektrokimyasal Kapasitans Voltaj (ECV) Sistemi
|
3 Gün
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
Elektrokimyasal Kapasitans-Gerilim ölçümü, yarı iletkenlerin doping profillerini belirlemek için kullanılan bir tekniktir. Bu yöntem, malzemenin yüzeyinden başlayarak derinliğe bağlı olarak katkı maddelerinin konsantrasyon dağılımını tespit eder. Uygulanan voltaj ile kapasitans değişikliklerini izleyerek, numunenin iç yapısı hakkında detaylı bilgi sunar.
|
| 14 |
Hızlı Termal Tavlama Cihazı (RTP)
|
1 Gün
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
Hızlı Isıl İşlem Sistemi, metallerin mekanik özelliklerini iyileştirme, yarıiletkenlerin kristalleşmesi ve kusurların giderilmesi gibi çeşitli amaçlarla malzemelerin vakum ortamında veya istenilen gaz altında yüksek sıcaklıklarda hızlı bir şekilde ısıtılmasını sağlar. Çeşitli yarı iletken işlemleri, tavlama, kalite kontrol, hızlı ısıl işlemler, implantasyon sonrası tavlama için kullanılabilmektedir.
|
| 15 |
UV-VIS-NIR Spektrometre
|
2 Gün
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
UV-VIS-NIR spektrofotometre sistemi katı ve sıvı numunelerin yansıma, geçirgenlik ve soğurma spektrumlarının ölçülebildiği bir optik karakterizasyon sistemidir. Bu sistem ile elde edilen spektrumlardan malzemenin kalınlığı, bant aralığı, soğurma katsayısı, kırılma indisi vb. gibi parametreler hesaplanabilmektedir.
|
| 16 |
Spektroskopik Elipsometre
|
1 Gün
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
Elipsometre ışığın malzemeden yansıması sırasında kutuplanmasında (polarization) oluşan değişikliği ölçerek filmlerin kalınlık, kırılma indisi, sönüm katsayısı vb. hakkında bilgi sağlayabilmektedir.
|
| 17 |
Spektroskopik Elipsometre
|
1 Gün
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
Sıcaklığa bağlı ölçüm aparatı kullanılarak ≤400 °C’ye kadar sıcaklığa bağlı optik parametrelerin değişimini inceleme olanağı sağlamaktadır.
|
| 18 |
Fotolüminesans-Raman Sistemi
|
2 Gün
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
Fotolüminesans ölçümünde, numuneye bir ışık kaynağı ile enerji verilir ve numune ile ışık etkileşimi sonrası yayılan ışık analiz edilerek malzemenin bant aralığı, kusur yapıları, safsızlıklar ve malzemenin opto-elektronik özellikleri hakkında bilgi edinilebilmektedir.
|
| 19 |
Fotolüminesans-Raman Sistemi
|
3 Gün
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
Kriyojenik sıcaklıklara (6.5 -325 K) kadar soğutulabilen malzemeden saçılan ışığın yoğunluk spektrumu elde edilir ve bant aralığı enerjisinin sıcaklığa bağlı ölçümü ile malzemenin kusur bilgisi elde edilir.
|
| 20 |
Fotolüminesans-Raman Sistemi
|
2 Gün
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
Raman ölçümleri, numuneye lazer ışığı gönderildiğinde saçılan ışığın enerjisindeki değişimlerin analiz edilmesiyle yapılır. Numunenin kimyasal bağlarının türleri, bağ yapıları, bağ uzunlukları ve açıları, moleküllerin nasıl titreştiği ve döndüğü, numunenin faz durumu ve kimyasal yapısı, numunelerdeki gerilme ve deformasyonlar, sıcaklık ve basınç gibi çevresel faktörlerin numune üzerindeki etkileri hakkında bilgi sahibi olunmasını sağlar.
|
| 21 |
Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM)
|
3 Gün
|
4 Uygulama (2 Eğitmen+2 Kendisi)
|
Yüksek Performans Atomik Kuvvet Mikroskobu, uç ile yüzey arasındaki etkileşimin doğasına bağlı olarak temaslı ve dinamik modda çalışabilir. AFM den elde edilen veriler, yüzey pürüzlülüğünün, dokusunun ve diğer yüzey özelliklerinin ölçülmesine olanak tanıyan yüzeyin topoğrafik haritalarını oluşturabilir.
|
| 22 |
Profilometre (Dektak)
|
Uygulamalı Eğitim İçerinde Önemli Noktalara Değinilecektir
|
3 Uygulama (1 eğitmen+2 kendisi)
|
Kontak Profilometresi, malzemelerin yüzey topografisini mikroskobik ölçekte analiz etmek için kullanılan hassas bir cihazdır. Farklı boyut ve türdeki malzemelerin yüzey pürüzlülüğü, step yüksekliği, eğriliği ve şekli gibi geleneksel yüzey özelliklerinin tespiti için kullanılır.
|
| 23 |
Optik Profilometre
|
Uygulamalı Eğitim İçerinde Önemli Noktalara Değinilecektir
|
3 Uygulama (1 eğitmen+2 kendisi)
|
Optik Profilometre ile tek bir noktadan, bir çizgiden veya bir alandan alınan 2 ve 3 boyutlu ölçümler yapılabilmektedir. Profilometre yüzey morfolojisi, basamak yükseklikleri ve yüzey pürüzlülüğü gibi yüzeyin topografik özellikleri elde edilebilmektedir.
|