AIXTRON 200/4 RF-S Metalorganik Kimyasal Buhar Biriktirme Yöntemi (MOCVD)
- MOCVD Sistemi N ve As/P tabanlıdır.
- 2” ya da 3” alttaşlar üzerine nm ölçeğinde epitaksiyel büyütme yapabilme ve yüksek alttaş sıcaklığına ulaşabilme (1450 ºC) özelliklerine sahiptir.
- Paslanmaz çelik gövdeden oluşan yatay (horizontal) reaktöre sahiptir.
- Radyo frekans (RF) ısıtma sistemine sahiptir.
- Trimetil galyum (TMGa), trimetil alüminyum (TMAl) ve trimetil indiyum (TMIn) gazları III grubu için metal organik;
Arsin (AsH3), Fosfin (PH3), Amonyak (NH3 ) gazları V grubu için hidrit kaynaklarıdır. - Dimetil çinko (DMZn), karbon tetrabromit (CBr4),
biscyclopentadienemagnezyum (CBr2Mg) ve (SiH4) katkı kaynaklarına sahiptir.